Kepakaran kami terletak pada menyelesaikan masalah yang berkaitan dengan pembungkusan semikonduktor
Pengenalan Terperinci
Prinsip Kekonduksian Terma: Struktur Berlapis Anisotropik
Grafit terdiri daripada atom karbon hibrid sp² yang disusun dalam struktur berlapis heksagon:
Dalam lapisan (dalam satah): Ikatan kovalen yang kuat, kecekapan penghantaran fonon sangat tinggi → Ultra-kekonduksian terma tinggi dalam satah
Antara lapisan (berserenjang dengan satah): Daya van der Waals yang lemah → Pengaliran haba yang sangat rendah di luar satah (≈ 10–25 W/m・K)
Ciri Teras: Anisotropi - Pengaliran haba yang sangat kuat di sepanjang satah, pengaliran haba yang sangat lemah berserenjang dengan satah; Reka bentuk mesti disusun dalam satah semasa mencipta, untuk pengembangan haba sisi.
Lonjakan kecekapan Ketepatan dan kestabilan
| Penunjuk prestasi | Grafit sintetik kekonduksian haba yang tinggi | Grafit sintetik kekonduksian haba yang tinggi | Tembaga | aluminium |
|---|---|---|---|---|
| Dalam-kekonduksian terma satah(W/m・K) | 1500–1900 | 2000–2200 | 401 | 237 |
| Pekali kekonduksian terma luaran(W/m・K) | 15–25 | 10–20 | 401 | 237 |
| Ketumpatan(g/cm³) | 2.1–2.2 | 2.2 | 8.9 | 2.7 |
| Pekali pengembangan terma (ppm/darjah) | 1–4 | 0.5–2 | 17 | 23 |
| Tahan suhu-(udara / lengai) | 450 darjah / 3000 darjah | 500 darjah / 3000 darjah | 500 darjah | 600 darjah |
| Kerintangan elektrik(Ω・cm) | 10⁻³–10⁻⁴ | 10⁻⁴ | 1.7×10⁻⁶ | 2.8×10⁻⁶ |
Had (Reka Bentuk Mesti-Tahu)
Anisotropi, perbezaan pengaliran haba menegak: Tidak boleh melakukan pelesapan haba menegak sahaja; ia mesti digabungkan dengan tembaga / VC / sirip;
Kerapuhan, kekuatan mekanikal yang rendah: Kepingan grafit terdedah kepada keretakan; mereka memerlukan gam sokongan / salutan / substrat komposit;
Konduktif, memerlukan rawatan penebat: Untuk mengelakkan litar pintas;
Mudah teroksida dalam-udara bersuhu tinggi: > 450 darjah memerlukan perlindungan salutan SiC/BN/TaC.
Aplikasi Industri (Rantaian Penuh Semikonduktor)
Pelayan AI / Pusat Data / -Pengkomputeran Berprestasi Tinggi
Aplikasi: GPU, CPU, Memori, Modul Kuasa Lembaran Grafit Kekonduksian Terma Tinggi + Pelesapan Haba Komposit VC;
Nilai:-Kuasa Pengkomputeran Ketumpatan Tinggi, Penindasan Titik Panas, Suhu Seragam, Pengurangan Berat, Pengurangan Penggunaan Kuasa Kipas.
Pembuatan Semikonduktor (Wafer / Epitaxial / Kristal Pertumbuhan / Medan Terma Vakum)
Penggunaan: SiC Tunggal Kristal Pertumbuhan Relau Graphite Crucible / Base, Epitaxial Graphite Tray, PECVD / Etching Graphite Electrode, Relau Vakum Penebat Grafit / Komponen Pelesapan Haba, Skru Grafit / Kacang;
Nilai: 2000 darjah + Suhu Tinggi, Ketulenan Tinggi, Kekotoran Rendah, Pembebasan Gas Rendah, Taburan Haba Seragam, Hasil Lebih Baik.
Aplikasi Industri (Rantaian Penuh Semikonduktor)
Komunikasi Optik / Stesen Pangkalan 5G, Aeroangkasa, Industri Ketenteraan
Aplikasi: Modul Optik, Penguat RF, Radar, Elektronik Satelit, Pelesapan Haba-Peranti Laser Kuasa Tinggi;
Nilai: Ringan, Kebolehpercayaan Tinggi, Kestabilan Persekitaran Melampau.
Produk teras kami
produk grafit
grafit sintetik
grafit ketulenan tinggi
grafit perindustrian
bahan grafit
komponen grafit / bahagian grafit
lembaran haba grafit / penyebar haba grafit
lembaran grafit fleksibel / kerajang grafit
grafit isostatik / grafit tekan isostatik
penyebar haba grafit kekonduksian haba yang tinggi
Pisau grafit ketulenan ultra tinggi 5N untuk pertumbuhan kristal SiC
bot grafit untuk PECVD / susceptor grafit untuk epitaksi
Cool tags: penyebar haba grafit sintetik sintetik tinggi kekonduksian haba untuk penyejukan gpu cpu semikonduktor, China kekonduksian terma tinggi penyebar haba grafit sintetik untuk semikonduktor cpu penyejukan gpu pengeluar, pembekal, kilang, Ukiran acuan grafit, acuan jongkong tersuai, acuan grafit buatan sendiri, plat bipolar sel bahan api, plat sel bahan api hidrogen, Bateri Oksigen Hidrogen Plat Bipolar
