Pembawa cakera grafit

Memfokuskan pada-medan tinggi seperti semikonduktor, litar bersepadu dan pembuatan cip, kami membangunkan-ketulenan tinggi,-kerataan tinggi,-tinggi kestabilan plat pembawa grafit wafer. Direka khusus untuk proses utama wafer 2-12 inci termasuk pemendapan, etsa, penyepuhlindapan dan implantasi ion, ia merupakan komponen teras yang memastikan ketepatan pemprosesan wafer dan kadar hasil.​

✅ Ketulenan Tinggi Terlampau & Kekotoran Rendah: Diperbuat daripada kok jarum ketulenan tinggi-, diproses dengan grafisasi suhu 3000 darjah tinggi-, kandungan abu Kurang daripada atau sama dengan 20ppm, menghapuskan pencemaran kekotoran logam wafer dan memastikan kestabilan prestasi cip;

✅ Kepersisan Ultra-Kerataan Tinggi: Melalui pemesinan dan pengisaran CNC ketepatan, ralat kerataan Kurang daripada atau sama dengan ±0.005mm, kekasaran permukaan Ra Kurang daripada atau sama dengan 0.2μm, menjamin daya seragam dan pengaliran haba wafer;​

ialah 50 KVA.

✅ Anti-Teguh Pengoksidaan & Rintangan Kakisan: Mengguna pakai teknologi salutan seramik khas pada permukaan, tahan kepada suhu tinggi 1200 darjah dan kakisan plasma, hayat perkhidmatan 4-6 kali lebih lama daripada plat grafit biasa;​

✅ Penyesuaian Tersuai: Menyokong penyesuaian saiz wafer yang berbeza (2/4/6/8/12 inci), pengedaran lubang dan spesifikasi ketebalan, serasi dengan pelbagai peralatan semikonduktor seperti CVD, PVD dan mesin etsa.​

Mematuhi piawaian industri semikonduktor yang ketat, kami melaksanakan kawalan kualiti yang diperhalusi sepanjang keseluruhan proses daripada penulenan bahan mentah, pemprosesan acuan kepada pemeriksaan produk siap. Kami menyediakan penyelesaian plat pembawa grafit yang boleh dipercayai dan cekap untuk perusahaan semikonduktor global, membantu meningkatkan hasil pembuatan cip dan kecekapan pengeluaran.